MP20041DGT-PP-LF-Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MP20041DGT-PP-LF-Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MP20041DGT-PP-LF-Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MP20041DGT-PP-LF-Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MP20041DGT-PP-LF-Z
- Part Number:
- MP20041DGT-PP-LF-Z
- Producent:
- MPS (Monolithic Power Systems)
- Opis:
- IC REG LINEAR 3V/3V 300MA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49260 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MP20041DGT-PP-LF-Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 0.22V @ 300mA (Typ), - |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 3V, 3V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 6V |
| Seria: | - |
| Funkcje ochronne: | Over Current, Over Temperature |
| PSRR: | 72dB ~ 68dB (10kHz ~ 100Hz) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość Regulatorów: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC 2 Output 300mA, 300mA |
| Obecny - Wyjście: | 300mA, 300mA |
| Funkcje sterowania: | Enable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MP20041DGT-PP-LF-Z
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash