MM912I637AM2EP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MM912I637AM2EP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MM912I637AM2EP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MM912I637AM2EP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MM912I637AM2EP
- Part Number:
- MM912I637AM2EP
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU LIN BATT MONITOR 48QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28340 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MM912I637AM2EP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.25 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-QFN-EP (7x7) |
| Seria: | - |
| Wielkość pamięci RAM: | 6K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH (96 KB) |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 48-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-14327 935314517557 MM912I637AM2EP-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba I / O: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | LIN, SCI, SPI |
| Core Processor: | S12 |
| Seria regulatorów: | HCS12 |
| Podstawowy numer części: | MM912I637 |
| Aplikacje: | Battery Monitor |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MM912I637AM2EP
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC