ML610Q112-NNNTCZ07FL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ML610Q112-NNNTCZ07FL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ML610Q112-NNNTCZ07FL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ML610Q112-NNNTCZ07FL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ML610Q112-NNNTCZ07FL
- Part Number:
- ML610Q112-NNNTCZ07FL
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24784 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ML610Q112-NNNTCZ07FL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-LQFP (7x7) |
| Prędkość: | 8MHz |
| Seria: | ML610100 |
| Wielkość pamięci RAM: | 2K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 32KB (16K x 16) |
| Peryferia: | POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 32-LQFP |
| Inne nazwy: | ML610Q112-NNNTCZ0 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 25 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | nX-U8/100 ML610100 Microcontroller IC 8-Bit 8MHz 32KB (16K x 16) FLASH 32-LQFP (7x7) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 8-Bit |
| Core Processor: | nX-U8/100 |
| Łączność: | I²C, SSP, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ML610Q112-NNNTCZ07FL
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny