MKS3PIN-D-5 DC110 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MKS3PIN-D-5 DC110, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MKS3PIN-D-5 DC110 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MKS3PIN-D-5 DC110 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MKS3PIN-D-5 DC110
- Part Number:
- MKS3PIN-D-5 DC110
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 110V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49280 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MKS3PIN-D-5 DC110.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 88 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 16.5 VDC |
| Termination Style: | Plug In, 11 Pin (Octal) |
| przełączanie napięcia: | 250VAC, 30VDC - Max |
| Seria: | MKS |
| Czas Release: | 40ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | MKS3PIN-D-5 DC110-ND MKS3PIN-D-5DC110 MKS3PIN-D-5DC110-ND MKS3PIND5DC110 Z9786 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 60°C |
| Czas zadziałania: | 30ms |
| Rodzaj mocowania: | Socketable |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Diode, LED Indicator, Mechanical Indicator, Test Button |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 110VDC Coil Socketable |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 10A |
| Materiał styków: | Silver Tin Indium (AgSnIn) |
| Formularz kontaktowy: | 3PDT (3 Form C) |
| Napięcie cewki: | 110VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 8.96 kOhms |
| cewka zasilania: | 1.4 W |
| Aktualny Coil: | 12.3mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MKS3PIN-D-5 DC110
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe