MI1812K121R-10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MI1812K121R-10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MI1812K121R-10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MI1812K121R-10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MI1812K121R-10
- Part Number:
- MI1812K121R-10
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41114 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Seria: | MI |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Inne nazwy: | 240-2422-2 MI1812K121R10 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 120 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.065" (1.65mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 55 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MI1812K121R-10
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC