MD035C105ZAA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MD035C105ZAA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MD035C105ZAA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MD035C105ZAA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MD035C105ZAA
- Part Number:
- MD035C105ZAA
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 22246 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MD035C105ZAA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | 1µF |
| Grubość (maks): | X7R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.325" (8.26mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.260" L x 0.100" W (6.60mm x 2.54mm) |
| Seria: | DIPGuard® MD |
| Stan RoHS: | Tube |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 2-DIP |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | MD035C105ZAA |
| Lead Style: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.320" (8.13mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 1µF -20%, +80% 50V Ceramic Capacitor X7R 2-DIP |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | -20%, +80% |
| Opis: | CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MD035C105ZAA
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny