MC68HC11D0CFNE3R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC68HC11D0CFNE3R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC68HC11D0CFNE3R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC68HC11D0CFNE3R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC68HC11D0CFNE3R
- Part Number:
- MC68HC11D0CFNE3R
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 8BIT ROMLESS 44PLCC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49529 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.MC68HC11D0CFNE3R.pdf2.MC68HC11D0CFNE3R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 44-PLCC (16.59x16.59) |
| Prędkość: | 3MHz |
| Seria: | HC11 |
| Wielkość pamięci RAM: | 192 x 8 |
| Typ pamięci programu: | ROMless |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Peryferia: | POR, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 44-LCC (J-Lead) |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 26 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | HC11 HC11 Microcontroller IC 8-Bit 3MHz ROMless 44-PLCC (16.59x16.59) |
| Konwertery danych: | - |
| rdzeń Rozmiar: | 8-Bit |
| Core Processor: | HC11 |
| Łączność: | SCI, SPI |
| Podstawowy numer części: | MC68HC11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC68HC11D0CFNE3R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny