MC14517BDWR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC14517BDWR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC14517BDWR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC14517BDWR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC14517BDWR2G
- Part Number:
- MC14517BDWR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC SHIFT REG DUAL 64BIT 16-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53285 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC14517BDWR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 18 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | 4000B |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Typ wyjścia: | Tri-State |
| Inne nazwy: | MC14517BDWR2G-ND MC14517BDWR2GOSTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 64 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Logic Type: | Shift Register |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Serial to Parallel |
| Podstawowy numer części: | 4517 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC14517BDWR2G
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC