MC10H164MG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC10H164MG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC10H164MG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC10H164MG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC10H164MG
- Part Number:
- MC10H164MG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC MUX 8-LINE MECL 10H 16SOEIAJ
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52844 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC10H164MG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Dual Supply |
| Napięcie - Dostawa: | -4.94 V ~ -5.46 V |
| Rodzaj: | Multiplexer |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOEIAJ |
| Seria: | 10H |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 75°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | Multiplexer 1 x 3:8 16-SOEIAJ |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Obwód: | 1 x 3:8 |
| Podstawowy numer części: | 10H164 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC10H164MG
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC