MC10H121P jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC10H121P, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC10H121P przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC10H121P z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC10H121P
- Part Number:
- MC10H121P
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC GATE OR/AND 4WIDE 16-DIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 33076 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC10H121P.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-DIP |
| Seria: | 10H |
| Wejście Przerzutnik Schmitta: | No |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Single-Ended |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 75°C |
| Liczba wejść: | 4 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | AND/OR/INVERT Gate |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | AND/OR/INVERT Gate Configurable 1 Circuit 4 Input 16-DIP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Podstawowy numer części: | 10H121 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC10H121P
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny