MC10EP35DR2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC10EP35DR2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC10EP35DR2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC10EP35DR2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC10EP35DR2
- Part Number:
- MC10EP35DR2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC FF JK TYPE SNGL 1BIT 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40748 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC10EP35DR2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | -3 V ~ -5.5 V |
| Rodzaj: | JK Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 10EP |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Differential |
| Inne nazwy: | MC10EP35DR2OSTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Funkcjonować: | Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 50mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Częstotliwość zegara: | 3GHz |
| Podstawowy numer części: | 10EP35 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC10EP35DR2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash