MC100LVE210FNR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC100LVE210FNR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC100LVE210FNR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC100LVE210FNR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC100LVE210FNR2G
- Part Number:
- MC100LVE210FNR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC CLK BUF 1:4/1:5 700GHZ 28PLCC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22154 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC100LVE210FNR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.8 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-PLCC (11.51x11.51) |
| Seria: | 100LVE |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:4, 1:5 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 28-LCC (J-Lead) |
| Wydajność: | ECL, PECL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | ECL, PECL |
| Częstotliwość - Max: | 700MHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1:4, 1:5 700MHz 28-LCC (J-Lead) |
| Podstawowy numer części: | MC100LVE210 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC100LVE210FNR2G
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny