MC100EP195BMNR4G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC100EP195BMNR4G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC100EP195BMNR4G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC100EP195BMNR4G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC100EP195BMNR4G
- Part Number:
- MC100EP195BMNR4G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC DELAY LINE 1024TAP PROG 32QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41036 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC100EP195BMNR4G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Dotknij Przyrost: | 10ps |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (5x5) |
| Seria: | 100EP |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | MC100EP195BMNR4GOS MC100EP195BMNR4GOS-ND MC100EP195BMNR4GOSTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość kranów / Schody: | 1024 |
| Liczba niezależnych Opóźnienia: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Programmable |
| szczegółowy opis: | Delay Line IC Programmable 1024 Tap 2.5ns ~ 13ns 32-VFQFN Exposed Pad |
| Opóźnienie 1st Tap: | 2.5ns |
| Podstawowy numer części: | MC100EP195B |
| Dostępne Wszystkich Opóźnienia: | 2.5ns ~ 13ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC100EP195BMNR4G
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny