MC100EP11MNR4G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC100EP11MNR4G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC100EP11MNR4G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC100EP11MNR4G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC100EP11MNR4G
- Part Number:
- MC100EP11MNR4G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57801 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC100EP11MNR4G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (2x2) |
| Seria: | 100EP |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:2 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Wydajność: | ECL, PECL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | ECL, PECL |
| Częstotliwość - Max: | 3GHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1:2 3GHz 8-VFDFN Exposed Pad |
| Podstawowy numer części: | MC100EP11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC100EP11MNR4G
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash