MBD54DWT1G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MBD54DWT1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MBD54DWT1G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MBD54DWT1G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MBD54DWT1G
- Part Number:
- MBD54DWT1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC88
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48998 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MBD54DWT1G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 100mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 5ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | MBD54DWT1GOSCT |
| Temperatura pracy - złącze: | 125°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| Diode Configuration: | 2 Independent |
| szczegółowy opis: | Diode Array 2 Independent Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2µA @ 25V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 200mA (DC) |
| Podstawowy numer części: | MBD54D |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MBD54DWT1G
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC