MB9BF515RPMC-G-JNE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MB9BF515RPMC-G-JNE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MB9BF515RPMC-G-JNE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MB9BF515RPMC-G-JNE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MB9BF515RPMC-G-JNE2
- Part Number:
- MB9BF515RPMC-G-JNE2
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC MCU 32BIT 416KB FLASH 120LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25383 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MB9BF515RPMC-G-JNE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 120-LQFP (16x16) |
| Prędkość: | 144MHz |
| Seria: | FM3 MB9B510R |
| Wielkość pamięci RAM: | 48K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 416KB (416K x 8) |
| Peryferia: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 120-LQFP |
| Inne nazwy: | CY9BF515RPMC-G-JNE2 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 103 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B510R Microcontroller IC 32-Bit 144MHz 416KB (416K x 8) FLASH 120-LQFP (16x16) |
| Konwertery danych: | A/D 16x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M3 |
| Łączność: | CANbus, CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MB9BF515RPMC-G-JNE2
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025