MAZ8160GML jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MAZ8160GML, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MAZ8160GML przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MAZ8160GML z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MAZ8160GML
- Part Number:
- MAZ8160GML
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- DIODE ZENER 16V 150MW SMINI2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28427 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MAZ8160GML.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 16V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 10mA |
| Tolerancja: | ±6% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMini2-F3 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-90, SOD-323F |
| Inne nazwy: | MAZ8160GMLTR |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 50 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 16V 150mW ±6% Surface Mount SMini2-F3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 50nA @ 12V |
| Podstawowy numer części: | MAZ816 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MAZ8160GML
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC