MAX4012ESA+T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MAX4012ESA+T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MAX4012ESA+T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MAX4012ESA+T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MAX4012ESA+T
- Part Number:
- MAX4012ESA+T
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC OPAMP VFB 200MHZ RRO 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34634 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.MAX4012ESA+T.pdf2.MAX4012ESA+T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 200MHz |
| Napięcie - Wejście offset: | 5.4µA |
| Napięcie - Podział: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | MAX4012ESA+T-ND MAX4012ESA+TTR |
| Orientacja: | 1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba bitów / stages: | 4mV |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | Voltage Feedback |
| Numer części producenta: | MAX4012ESA+T |
| Rozszerzony opis: | Voltage Feedback Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| Opis: | IC OPAMP VFB 200MHZ RRO 8SOIC |
| Obecny - Dostawa (Główny IC): | 3.15 V ~ 11 V, ±1.575 V ~ 5.5 V |
| Obecny - Dostawa: | 5.5mA |
| Kanały na IC: | 120mA |
| 3dB Pasmo: | 600 V/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MAX4012ESA+T
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny