MAX32631IWQ+T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MAX32631IWQ+T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MAX32631IWQ+T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MAX32631IWQ+T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MAX32631IWQ+T
- Part Number:
- MAX32631IWQ+T
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- SEC ULTRA-LOW POWER COR M4 WLP
- Wielkość zbiorów:
- 54653 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MAX32631IWQ+T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.14 V ~ 3.6 V |
| Prędkość: | 96MHz |
| Seria: | - |
| Wielkość pamięci RAM: | 512K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 2MB (2M x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, TPU, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 66 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Vendor Undefined |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4F - Microcontroller IC 32-Bit 96MHz 2MB (2M x 8) FLASH |
| Konwertery danych: | A/D 4x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4F |
| Łączność: | 1-Wire, I²C, SPI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MAX32631IWQ+T
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC