MA3055 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MA3055, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MA3055 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MA3055 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MA3055
- Part Number:
- MA3055
- Opis:
- SENSOR VRS SINE WAVE WIRE LEADS
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 48792 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.MA3055.pdf2.MA3055.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Rodzaj: | VRS (Passive) |
| Termination Style: | Wire Leads |
| Seria: | MA3055 |
| Package / Case: | Barrel, Stainless Steel |
| Typ wyjścia: | Sine Wave |
| Inne nazwy: | .MA3055 480-3271 |
| temperatura robocza: | -73°C ~ 230°C (TA) |
| musi zwolnić: | - |
| musi działać: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość: | 70kHz |
| szczegółowy opis: | Magnetic VRS (Passive) Ferrous Metals, Gear Tooth Sine Wave Wire Leads Barrel, Stainless Steel |
| siłownik Materiał: | Ferrous Metals, Gear Tooth |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MA3055
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC