MA-406 14.7456M-G3:PURE SN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MA-406 14.7456M-G3:PURE SN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MA-406 14.7456M-G3:PURE SN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MA-406 14.7456M-G3:PURE SN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MA-406 14.7456M-G3:PURE SN
- Part Number:
- MA-406 14.7456M-G3:PURE SN
- Producent:
- Epson
- Opis:
- CRYSTAL 14.7456 MHZ 20.0PF SMD
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21151 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.461" L x 0.189" W (11.70mm x 4.80mm) |
| Seria: | MA-406 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-SOJ, 9.60mm pitch |
| Inne nazwy: | MA-406 14.7456M-G3 PURE SN MA-406 14.7456M-G3: PURE SN MA-406 14.7456M-G3: PURE SN-ND MA-406 14.7456M-G3:PURE SN-ND MA-40614.7456M-G3:PURESN Q22MA4062039312 |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 70°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| pojemność obciążenia: | 20pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.146" (3.70mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±50ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±30ppm |
| Częstotliwość: | 14.7456MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 50 Ohms |
| szczegółowy opis: | 14.7456MHz ±50ppm Crystal 20pF 50 Ohms 4-SOJ, 9.60mm pitch |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MA-406 14.7456M-G3:PURE SN
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC