M55342K09B8B25RWS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M55342K09B8B25RWS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M55342K09B8B25RWS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M55342K09B8B25RWS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M55342K09B8B25RWS
- Part Number:
- M55342K09B8B25RWS
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 8.25K OHM 0.1% 1W 2512
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 53532 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M55342K09B8B25RWS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2512 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Tryb panel: | 8.25 kOhms |
| Moc (W): | 1W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 2512 (6432 Metric) |
| Inne nazwy: | M55342K09B8B25RWS-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| cechy: | Military, Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | R (0.01%) |
| szczegółowy opis: | 8.25 kOhms ±0.1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M55342K09B8B25RWS
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny