M5010045 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M5010045, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M5010045 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M5010045 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M5010045
- Part Number:
- M5010045
- Producent:
- Crydom
- Opis:
- MODULE POWER 100A 1200V AC SW
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30851 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.M5010045.pdf2.M5010045.pdf3.M5010045.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.2kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 3V |
| Struktura: | 1-Phase Controller - All SCRs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Module |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Ilość SCR, diody: | 2 SCRs |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR Module 1.2kV 1-Phase Controller - All SCRs Chassis Mount Module |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 1500A @ 60Hz |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M5010045
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny