M306N4FGTFP#UKJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M306N4FGTFP#UKJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M306N4FGTFP#UKJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M306N4FGTFP#UKJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M306N4FGTFP#UKJ
- Part Number:
- M306N4FGTFP#UKJ
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48784 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.M306N4FGTFP#UKJ.pdf2.M306N4FGTFP#UKJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 4.2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-QFP (14x20) |
| Prędkość: | 20MHz |
| Seria: | M16C™ M16C/60/6N4 |
| Wielkość pamięci RAM: | 10K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 256KB (256K x 8) |
| Peryferia: | DMA, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 100-BQFP |
| Inne nazwy: | M306N4FGTFPUKJ |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 85 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | M16C/60 M16C™ M16C/60/6N4 Microcontroller IC 16-Bit 20MHz 256KB (256K x 8) FLASH 100-QFP (14x20) |
| Konwertery danych: | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | M16C/60 |
| Łączność: | CANbus, I²C, IEBus, SIO, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | M306N4 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M306N4FGTFP#UKJ
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC