M24256-BRMN6P jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M24256-BRMN6P, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M24256-BRMN6P przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M24256-BRMN6P z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M24256-BRMN6P
- Part Number:
- M24256-BRMN6P
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57798 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M24256-BRMN6P.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 5ms |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | EEPROM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 497-8578-5 M24256-BRMN6P-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 256Kb (32K x 8) |
| Interfejs pamięci: | I²C |
| Format pamięci: | EEPROM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | EEPROM Memory IC 256Kb (32K x 8) I²C 1MHz 450ns 8-SO |
| Częstotliwość zegara: | 1MHz |
| Podstawowy numer części: | M24256-B |
| Czas dostępu: | 450ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M24256-BRMN6P
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny