LTC1408IUH-12#PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LTC1408IUH-12#PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LTC1408IUH-12#PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LTC1408IUH-12#PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LTC1408IUH-12#PBF
- Part Number:
- LTC1408IUH-12#PBF
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC ADC 12BIT 600KSPS 32-QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22161 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LTC1408IUH-12#PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa Digital: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Napięcie - Dostawa, analogowe: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (5x5) |
| Seria: | - |
| Sampling rate (Per Second): | 600k |
| Typ referencyjny: | External, Internal |
| Stosunek - S / H: ADC: | 6:1 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 32-WFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | LTC1408IUH12PBF |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 6 |
| Liczba bitów: | 12 |
| Liczba przetworników A / D: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Differential |
| cechy: | Simultaneous Sampling |
| szczegółowy opis: | 12 Bit Analog to Digital Converter 6 Input 1 SAR 32-QFN (5x5) |
| Data Interface: | SPI |
| Konfiguracja: | S/H-MUX-ADC |
| Podstawowy numer części: | LTC1408 |
| Architektura: | SAR |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LTC1408IUH-12#PBF
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC