LS411260 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LS411260, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LS411260 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LS411260 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LS411260
- Part Number:
- LS411260
- Producent:
- Powerex, Inc.
- Opis:
- DIODE MODULE 1.2KV 600A POWRBLOK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39203 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LS411260.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 600A |
| Napięcie - Podział: | POW-R-BLOK™ Module |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | POW-R-BLOK™ Module |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Numer części producenta: | LS411260 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 600A Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module |
| Diode Configuration: | 40mA @ 1200V |
| Opis: | DIODE MODULE 1.2KV 600A POWRBLOK |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.19V @ 1800A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LS411260
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny