LQW2UASR27J00L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LQW2UASR27J00L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LQW2UASR27J00L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LQW2UASR27J00L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LQW2UASR27J00L
- Part Number:
- LQW2UASR27J00L
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57519 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 1008 (2520 Metric) |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.103" L x 0.096" W (2.62mm x 2.45mm) |
| Seria: | LQW2 |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1008 (2520 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-5696-6 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Numer części producenta: | LQW2UASR27J00L |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.080" (2.03mm) |
| typ sprzętu: | 270nH |
| Częstotliwość - Test: | 600MHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 910 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 910 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Średnica - ramię: | 45 @ 100MHz |
| Opis: | FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM |
| Czas zwłoki: | 25MHz |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Aktualna ocena: | 500mA |
| Obecny - Nasycenie: | Air |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LQW2UASR27J00L
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC