LQP02HQ2N6C02E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LQP02HQ2N6C02E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LQP02HQ2N6C02E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LQP02HQ2N6C02E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LQP02HQ2N6C02E
- Part Number:
- LQP02HQ2N6C02E
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 2.6NH 450MA 200 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37787 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LQP02HQ2N6C02E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Thin Film |
| Tolerancja: | ±0.2nH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LQP02 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 14 @ 500MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 01005 (0402 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Non-Magnetic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 500MHz |
| Indukcyjność: | 2.6nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.013" (0.32mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 9.5GHz |
| szczegółowy opis: | 2.6nH Unshielded Thin Film Inductor 450mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 200 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 450mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LQP02HQ2N6C02E
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC