LPC54605J256ET180E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LPC54605J256ET180E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LPC54605J256ET180E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LPC54605J256ET180E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LPC54605J256ET180E
- Part Number:
- LPC54605J256ET180E
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 180BGA
- Wielkość zbiorów:
- 59062 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.71 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 180-TFBGA (12x12) |
| Prędkość: | 180MHz |
| Seria: | LPC546xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 136K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 256KB (256K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 180-TFBGA |
| Inne nazwy: | 568-13364 935308869551 LPC54605J256ET180 LPC54605J256ET180-ND |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 145 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Rozmiar EEPROM: | 16K x 8 |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4 LPC546xx Microcontroller IC 32-Bit 180MHz 256KB (256K x 8) FLASH 180-TFBGA (12x12) |
| Konwertery danych: | A/D 12x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4 |
| Łączność: | I²C, SPI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LPC54605J256ET180E
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny