LPC11A13JHI33/201E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LPC11A13JHI33/201E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LPC11A13JHI33/201E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LPC11A13JHI33/201E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LPC11A13JHI33/201E
- Part Number:
- LPC11A13JHI33/201E
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT 24KB FLASH 33HVQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45563 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LPC11A13JHI33/201E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.6 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-HVQFN (5x5) |
| Prędkość: | 50MHz |
| Seria: | LPC11Axx |
| Wielkość pamięci RAM: | 6K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 24KB (24K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-11400 935299689551 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 28 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | 2K x 8 |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M0 LPC11Axx Microcontroller IC 32-Bit 50MHz 24KB (24K x 8) FLASH 32-HVQFN (5x5) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b; D/A 1x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M0 |
| Łączność: | I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | LPC11A13 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LPC11A13JHI33/201E
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe