LMX2531LQX2570E/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LMX2531LQX2570E/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LMX2531LQX2570E/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LMX2531LQX2570E/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LMX2531LQX2570E/NOPB
- Part Number:
- LMX2531LQX2570E/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FREQ SYNTH HI PERF VCO 36WQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56528 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LMX2531LQX2570E/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.8 V ~ 3.2 V |
| Rodzaj: | Frequency Synthesizer (RF) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 36-WQFN (6x6) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 2:2 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 36-WFQFN Exposed Pad |
| PLL: | Yes |
| Wydajność: | CMOS |
| Inne nazwy: | LMX2531LQX2570E LMX2531LQX2570E-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Clock |
| Częstotliwość - Max: | 2.79GHz |
| Przegroda / Mnożnik: | Yes/No |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/No |
| Podstawowy numer części: | LMX2531 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LMX2531LQX2570E/NOPB
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny