LMV331SN3T1G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LMV331SN3T1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LMV331SN3T1G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LMV331SN3T1G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LMV331SN3T1G
- Part Number:
- LMV331SN3T1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC COMPARATOR SGL GP LV 5TSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57586 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LMV331SN3T1G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2.7 V ~ 5 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 9mV @ 5V |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 5-TSOP |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | 1.5µs |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| Inne nazwy: | LMV331SN3T1G-ND LMV331SN3T1GOSTR |
| temperatura robocza: | - |
| Ilość elementów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator General Purpose Open Drain 5-TSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 150µA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | 84mA @ 5V |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 0.001µA @ 5V |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | LMV331 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LMV331SN3T1G
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash