LMR344FJ-GE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LMR344FJ-GE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LMR344FJ-GE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LMR344FJ-GE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LMR344FJ-GE2
- Part Number:
- LMR344FJ-GE2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC OP AMP FULL SWING SOP14J
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29836 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.LMR344FJ-GE2.pdf2.LMR344FJ-GE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 250µV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SOPJ |
| Szybkość narastania: | 1 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Inne nazwy: | LMR344FJ-GE2CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 2MHz |
| szczegółowy opis: | CMOS Amplifier 4 Circuit 14-SOPJ |
| Obecny - Dostawa: | 400µA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 32mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 1pA |
| Amplifier Type: | CMOS |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LMR344FJ-GE2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash