LM5175RHFR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM5175RHFR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM5175RHFR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM5175RHFR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM5175RHFR
- Part Number:
- LM5175RHFR
- Producent:
- TI
- Opis:
- SYNCHRONOUS 4-SWITCH BUCK-BOOST
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45709 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM5175RHFR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3.5 V ~ 42 V |
| topologia: | Buck-Boost |
| synchroniczny prostownik: | Yes |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-VQFN (5x4) |
| Seria: | - |
| Interfejsy szeregowe: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 28-VFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Transistor Driver |
| Fazy wyjściowe: | 1 |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | 296-47793-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 100kHz ~ 600kHz |
| Cykl pracy (maks.): | - |
| szczegółowy opis: | Buck-Boost Regulator Positive Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 28-VQFN (5x4) |
| Funkcje sterowania: | Enable, Frequency Control, Power Good, Soft Start |
| Synchronizacja zegara: | Yes |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM5175RHFR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC