LM5165DRCR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM5165DRCR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM5165DRCR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM5165DRCR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM5165DRCR
- Part Number:
- LM5165DRCR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG BUCK ADJ 0.15A 10VSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20634 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM5165DRCR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.223V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 65V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 3V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 65V |
| topologia: | Buck |
| synchroniczny prostownik: | Yes |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-VSON (3x3) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | 296-46273-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | Up to 600kHz |
| szczegółowy opis: | Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.223V 1 Output 150mA 10-VFDFN Exposed Pad |
| Obecny - Wyjście: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM5165DRCR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny