LM5109BMA/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM5109BMA/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM5109BMA/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM5109BMA/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM5109BMA/NOPB
- Part Number:
- LM5109BMA/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DVR HALF-BRIDGE 90V 1A 8-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27464 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM5109BMA/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 8 V ~ 14 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 15ns, 15ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | *LM5109BMA/NOPB LM5109BMANOPB |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 0.8V, 2.2V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 108V |
| Typ bramy: | N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 1A, 1A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Podstawowy numer części: | LM5109 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM5109BMA/NOPB
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC