LM5045SQ/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM5045SQ/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM5045SQ/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM5045SQ/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM5045SQ/NOPB
- Part Number:
- LM5045SQ/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC PWM CTRLR FULL BRIDG 28WQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45446 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM5045SQ/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 14 V ~ 100 V |
| Napięcie - Podział: | - |
| topologia: | Full-Bridge |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-WQFN (5x5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 28-WFQFN Exposed Pad |
| Izolacja wyjście: | Isolated |
| Inne nazwy: | 296-40229-2 LM5045SQ/NOPB-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Przełącznik wewnętrzny (e): | No |
| Częstotliwość - Przełączanie: | Up to 2MHz |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage |
| Cykl pracy: | - |
| szczegółowy opis: | Converter Offline Full-Bridge Topology Up to 2MHz 28-WQFN (5x5) |
| Funkcje sterowania: | Frequency Control, Soft Start, Sync |
| Podstawowy numer części: | LM5045 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM5045SQ/NOPB
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny