LM239AMPWREP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM239AMPWREP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM239AMPWREP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM239AMPWREP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM239AMPWREP
- Part Number:
- LM239AMPWREP
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC QUAD DIFF COMPARATOR 14-TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39803 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM239AMPWREP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 2.5mV @ 30V |
| Rodzaj: | Differential |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-TSSOP |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | CMOS, MOS, Open-Collector, TTL |
| Inne nazwy: | 296-21228-2 V62/03672-02YE |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Ilość elementów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator Differential CMOS, MOS, Open-Collector, TTL 14-TSSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 2mA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | 20mA |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 0.25µA @ 5V |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | LM239 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM239AMPWREP
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC