LM111H/NOPB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LM111H/NOPB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LM111H/NOPB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LM111H/NOPB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LM111H/NOPB
- Part Number:
- LM111H/NOPB
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC COMPARATOR VOLT TO-99-8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57006 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LM111H/NOPB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 3mV @ ±15V |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-99-8 |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-99-8 Metal Can |
| Typ wyjścia: | DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL |
| Inne nazwy: | *LM111H/NOPB LM111HNOPB |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator General Purpose DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL TO-99-8 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 6mA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | - |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 0.1µA @ ±15V |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | LM111 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LM111H/NOPB
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe