LH28F160S3HT-L10A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LH28F160S3HT-L10A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LH28F160S3HT-L10A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LH28F160S3HT-L10A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LH28F160S3HT-L10A
- Part Number:
- LH28F160S3HT-L10A
- Producent:
- Sharp Microelectronics
- Opis:
- IC FLASH 16M PARALLEL 56TSOP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40077 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LH28F160S3HT-L10A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 100ns |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FLASH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 56-TSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Inne nazwy: | 425-1839 LHF16KA7 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 100ns 56-TSOP |
| Czas dostępu: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LH28F160S3HT-L10A
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash