LBM2016T3R9JV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LBM2016T3R9JV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LBM2016T3R9JV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LBM2016T3R9JV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LBM2016T3R9JV
- Part Number:
- LBM2016T3R9JV
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 3.9UH 275MA 962 MOHM
- Wielkość zbiorów:
- 29833 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LBM2016T3R9JV.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0806 (2016 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LB, M Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 30 @ 7.96MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0806 (2016 Metric) |
| Inne nazwy: | LQ LBM 2016T3R9J V |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 7.96MHz |
| Indukcyjność: | 3.9µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 43MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 275mA 962 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 962 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 275mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LBM2016T3R9JV
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny