LAL02VDR68K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LAL02VDR68K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LAL02VDR68K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LAL02VDR68K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LAL02VDR68K
- Part Number:
- LAL02VDR68K
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 680NH 310MA 670 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47707 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.LAL02VDR68K.pdf2.LAL02VDR68K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | LA, L Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 35 @ 25.2MHz |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | LA LAL 02VD R68K |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 25.2MHz |
| Indukcyjność: | 680nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 190MHz |
| szczegółowy opis: | 680nH Unshielded Inductor 310mA 670 mOhm Max Axial |
| DC Resistance (DCR): | 670 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 310mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LAL02VDR68K
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny