LAE3-17EA-6LFTN256E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LAE3-17EA-6LFTN256E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LAE3-17EA-6LFTN256E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LAE3-17EA-6LFTN256E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LAE3-17EA-6LFTN256E
- Part Number:
- LAE3-17EA-6LFTN256E
- Producent:
- Lattice Semiconductor
- Opis:
- IC FPGA 133 I/O 256FTBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26571 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LAE3-17EA-6LFTN256E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 716800 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-FTBGA (17x17) |
| Seria: | LA-ECP3 |
| Package / Case: | 256-BGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 17000 |
| Ilość Labs / CLBs: | 2125 |
| Liczba I / O: | 133 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | LAE3-17EA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LAE3-17EA-6LFTN256E
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny