L6399D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla L6399D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla L6399D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup L6399D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
L6399D
- Part Number:
- L6399D
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC DRIVER HI/LO SIDE 8SOIC
- Wielkość zbiorów:
- 36827 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.L6399D.pdf2.L6399D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 20 V |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 75ns, 35ns |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 1.1V, 1.9V |
| Typ wejścia: | Inverting, Non-Inverting |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 600V |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 290mA, 430mA |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do L6399D
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny