KNP200JR-73-0R2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KNP200JR-73-0R2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KNP200JR-73-0R2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KNP200JR-73-0R2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KNP200JR-73-0R2
- Part Number:
- KNP200JR-73-0R2
- Producent:
- Yageo
- Opis:
- RES WW 2W 5% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59601 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KNP200JR-73-0R2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±300ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.205" Dia x 0.610" L (5.20mm x 15.50mm) |
| Seria: | KNP |
| Tryb panel: | 200 mOhms |
| Moc (W): | 2W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Axial |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 200°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Safety |
| szczegółowy opis: | 200 mOhms ±5% 2W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Safety Wirewound |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KNP200JR-73-0R2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC