KMG10VB222M10X20LL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla KMG10VB222M10X20LL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla KMG10VB222M10X20LL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup KMG10VB222M10X20LL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
KMG10VB222M10X20LL
- Part Number:
- KMG10VB222M10X20LL
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 2200UF 20% 10V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40348 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- KMG10VB222M10X20LL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Seria: | KMG |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 760mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 820.8mA @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Żywotność @ Temp.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.787" (20.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 196 mOhm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 2200µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 196 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 2200µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do KMG10VB222M10X20LL
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny