JTN1S-TMP-F-DC24V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JTN1S-TMP-F-DC24V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JTN1S-TMP-F-DC24V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JTN1S-TMP-F-DC24V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JTN1S-TMP-F-DC24V
- Part Number:
- JTN1S-TMP-F-DC24V
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 20A 24V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53060 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JTN1S-TMP-F-DC24V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 18 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 2.4 VDC |
| Termination Style: | PC Pin, Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| przełączanie napięcia: | 277VAC - Max |
| Seria: | JT-N |
| Czas Release: | 10ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 255-3682 JTN1S-TMP-F-DC24V-ND JTN1STMPFDC24V |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Czas zadziałania: | 20ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 24VDC Coil Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 20A |
| Materiał styków: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| Formularz kontaktowy: | SPDT (1 Form C) |
| Napięcie cewki: | 24VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 720 Ohms |
| cewka zasilania: | 800 mW |
| Aktualny Coil: | 33.3mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JTN1S-TMP-F-DC24V
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC