JDV2S10FS(TPL3) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JDV2S10FS(TPL3), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JDV2S10FS(TPL3) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JDV2S10FS(TPL3) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JDV2S10FS(TPL3)
- Part Number:
- JDV2S10FS(TPL3)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE STANDARD 10V FSC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39764 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JDV2S10FS(TPL3).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 10V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | fSC |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 2-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | JDV2S10FS(TPL3)CT |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard - Single |
| szczegółowy opis: | RF Diode Standard - Single 10V fSC |
| Pojemność @ VR F: | 3.4pF @ 2.5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JDV2S10FS(TPL3)
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny