JANTXV1N4969D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JANTXV1N4969D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JANTXV1N4969D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JANTXV1N4969D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JANTXV1N4969D
- Part Number:
- JANTXV1N4969D
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 30V 5W E AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 25227 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JANTXV1N4969D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 30V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 1A |
| Tolerancja: | ±1% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | E, Axial |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| Moc - Max: | 5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | E, Axial |
| Inne nazwy: | 1086-18583 1086-18583-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 8 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 30V 5W ±1% Through Hole E, Axial |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2µA @ 22.8V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JANTXV1N4969D
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash